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产品参数：
系列：HEXFET?；
FET类型：N 沟道；
技术：MOSFET（金属氧化物）；
电流-连续漏极（Id）（25° 时）：49A（Tc）；
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V；
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μ
；
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：63nC @ 10V；
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：1470pF @ 25V；
Vgs（最大值）：±0V；
功率耗散（最大值）：94W（Tc）；
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：17.5 毫欧 @ 25A，10V；
工作温度：-55° ~ 175° （TJ）；
安装类型：通孔；
封装/外壳：TO220；
封装形式Package：TO-220AB；
极性Polarity：N-CH；
漏源极击穿电压VDSS：55V；
连续漏极电流ID：49A；
漏源电压（Vdss）：55V；
供应商器件封装：TO-220AB；
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