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STP75NF75/STP45NF06/LM234DT/ST3485EBDR/参数
系列:STripFET?? II;
FET类型:N 沟道;
技术:MOSFET（金属氧化物）;
电流-连续漏极（Id）:（25° 时） 80A（Tc）;
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）: 10V;
不同Id时的Vgs（th）（最大值）: 4V @ 250μ
;
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）: 160nC @ 10V;
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）: 3700pF @ 25V;
Vgs（最大值）: ±0V;
功率耗散（最大值）: 300W（Tc）;
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值） :11 毫欧 @ 40A，10V;
工作温度: -55° ~ 175° （TJ）;
安装类型: 通孔;
封装/外壳: TO-220-3;
封装形式Package: TO-220;
极性Polarity: N-CH;
漏源极击穿电压VDSS :75V;
连续漏极电流ID: 80A;
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